İmin içeren oligomer bileşiklerinin sentezi, karakterizasyonu ve bazı fiziksel özellikleri
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2009
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: SEMRA KOÇA
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): İSMET KAYA
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Yapılan çalışmaların ilk aşamasında önce Schiff bazları sentezlendi. Sentezlenen Schiff bazları: 4-[(2-metoksifenil)iminometil]fenol(4-2-MFİMF); 2-[(2-metoksifenil)iminometil]fenol (2-2-MFİMF); 4-[(4-metoksifenil)iminometil]fenol (4-4-MFİMF); 2-[(4-metoksifenil)iminometil]fenol (2-4-MFİMF); 1-[(2-metoksifenil)iminometil]naftalen-2-ol (1-2-MFİMN2).Daha sonraki aşamada sentezlenen Schiff bazlarının bazik sulu ortamda 50-90?C arasında hava, H2O2 ve NaOCl gibi oksidantlar kullanılarak polimerleri oluşturuldu. Sentezlenen monomer ve polimerlerin yapıları FT-IR, UV?Vis, 1H-NMR ve 13C-NMR analizleri ile doğrulandı. Maddeler TG-DTA, büyüklükçe ayırma kromatografisi (SEC) ve çözünürlük testleriyle karakterize edildi. Oluşan oligomerlerin optimum reaksiyon şartları çalışıldı.SEC analizine göre sentezlenen oligomerlerin sayıca ortalama molekül ağırlığı (Mn), ağırlıkça ortalama molekül ağırlığı (Mw) ve polidisperslik indeksi (PDI) değerleri sırasıyla bulundu.TG analizine göre sentezlenen oligomerlerin 1000?C'deki kütle kayıpları bulundu. O-4-4-MFİMF, O-2-4-MFİMF, O-2-2-MFİMF, O-1-2-MFİMN2 termal bozunmaya karşı monomerlerine kıyasla daha yüksek kararlılık göstermiştir. Buna karşın O-4-2-MFİMF ise monomerine göre termal bozunmaya karşı daha düşük kararlılık göstermiştir. O-4-2-MFİMF, O-2-2-MFİMF, O-4-4-MFİMF, O-2-4-MFİMF, O-1-2-MFİMN2' ün elektriksel iletkenlikleri de ölçülmüş ve bu polimerlerin tipik birer yarı iletken oldukları gösterilmiştir. Elektrokimyasal olarak en yüksek enerjili dolu molekül orbitali (HOMO), en düşük enerjili boş mlekül orbitali (LUMO) ve elektrokimyasal enerji boşlukları (E'g) olarak bulunmuştur. UV-Vis ölçümlerine göre optik bant boşlukları (Eg) olarak bulunmuştur. UV-Vis ölçümlerine göre optik bant boşlukları (Eg) bulunmuştur.