Fosfor katkılanmış hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür ince filmlerin elektriksel özelliklerinin karakterizasyonu

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2017

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: BURAK ALÇINKAYA

Danışman: Kıvanç Sel

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile dört farklı karbon içeriğinde fosfor katkılanarak biriktirilmiş hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür (n-tipi a-SiCx:H) ince filmlerin elektriksel özellikleri analiz edilmiştir. İnce filmlerin karbon içerikleri (x) X-ışını foto-elektron spektroskopi ile sırasıyla 0, 0.19, 0.46 ve 0.62 olarak belirlenmiştir. İnce filmlerin kalınlıkları, optik enerjileri morötesi-görünür bölge geçirgenlik spektroskopisi ile belirlenmiştir ve optik enerjilerinin karbon içeriği ile arttığı gözlenmiştir. İnce filmlerin elektriksel özellikleri sıcaklığa bağlı akım-voltaj ölçümleri ile analiz edilmiştir. N-tipi a-SiCx:H ince filmlerin karbon içeriğinin artmasıyla oda sıcaklığındaki öziletkenliğin azaldığı ve en yüksek öziletkenlik aynı yöntemle biriktirilmiş has a-SiCx:H filmlerin öziletkenlikleri ile karşılaştırıldığında yaklaşık 10^6 katlık bir artış olduğu belirlenmiştir. N-tipi a-SiCx:H ince filmlerin elektriksel aktivasyon enerjileri hesaplanmıştır ve karbon içeriğinin artmasına bağlı olarak 0.24 eV'tan 0.76 eV'a arttığı belirlenmiştir. İnce filmlerin elektriksel iletim mekanizmaları analiz edilmiştir. Has a-SiCx:H ince filmlerde silisyum zengin karbon içeriğinde standart iletim mekanizmasının ve karbon zengin durumda ise en yakın komşuya sıçrama (EYKS) mekanizmasının baskın iletim mekanizması olmasına karşın n-tipi a-SiCx:H ince filmlerde baskın iletim mekanizmasının standart iletim mekanizması olduğu belirlenmiştir.